CMP（化学机械抛光）技术广泛应用于精密铸造、航空航天、半导体、电子通讯等各个领域，尤其在半导体芯片加工工艺中有着不可替代得作用，贯穿半导体加工的前道工艺和后道工艺，是目前芯片全局平坦化的唯一技术。CMP 工艺中的核心材料是抛光液和抛光垫，其中又以抛光液的占比最高达到 49%。抛光液主要由纳米颗粒、氧化剂、分散剂、除菌剂、pH 调节剂组成，核心组成是纳米颗粒。纳米氧化硅颗粒的使用占芯片抛光液总量的 80% 以上。

    目前本项目组已经实现高纯度纳米氧化硅颗粒的中试制备，球形颗粒的制备尺寸可控（20~120nm），粒度分布集中（PDI：0.01~0.2），金属杂质含量≤500 ppb，一立方米放大连续生产50 批次以上。拥有自主知识产权，独立工艺路线开发，在对单晶硅，金属 W，TEOS 等外延片抛光结果与国际产品相当。